• 作者：刘宜霖，檀柏梅，高宝红，胡新星，路一泽　　DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2017.11.009　　期刊：《微纳电子技术》
• 发布时间：2021
• 文献来源：https://www.cnki.net/kcms/doi/10.13250/j.cnki.wndz.2017.11.009.html

摘要：铜布线化学机械抛光(CMP)后清洗的主要对象是CMP工艺后在铜表面的残留物，包括硅溶胶颗粒，金属离子与有机物残留。采用PVA刷洗的清洗方式对CMP后表面残留的硅溶胶颗粒与表面吸附的苯并三氮唑(BTA)的去除进行了实验研究。通过原子力显微镜(AFM)和接触角测量仪对两种阴离子表面活性剂(十二烷基苯磺酸(LABSA)和脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵(AESA))与FA/O型非离子表面活性剂在碱性环境中对硅溶胶颗粒及BTA的去除效果进行分析表征，并对去除效果进行了对比。实验得出此两种阴离子表面活性剂在较低质量分数下就能达到 FA/O型非离子表面活性剂在高质量分数下才有的颗粒去除效果。AESA在质量分数为0.05%时配合质量分数为0.015%的FA/OⅡ型螯合剂不仅能有效去除晶圆表面沾污的硅溶胶颗粒，同时能有效去除表面沾污的BTA。