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申请/授权专利

授权专利

授权专利

发布时间:2021-03-23 14:41:35

专利申请号

专利申请日

专利名称

CN201910603572.1

2019-07-05

一种高选择性剥离液、其制备方法和应用

CN201910607653.9

2019-07-05

一种正胶剥离液、其制备方法和应用

CN201910679316.0

2019-07-25

一种负胶剥离液、其制备方法及应用

CN201910945234.6

2019-09-30

用于化学机械抛光后的非TMAH碱清洗液及其制备方法

CN202010208618.2

2020-03-23

用于移除硬遮罩的钨相容性清洗液、其制备方法及应用

CN202010208599.3

2020-03-23

用于选择性移除硬遮罩的清洗液、其制备方法及应用

CN202010208612.5

2020-03-23

一种无羟胺水基清洗液、其制备方法及应用

CN202010209649.X

2020-03-23

一种低羟胺水基清洗液、其制备方法及应用

CN202010209656.X

2020-03-23

一种CoWP兼容性的半水基清洗液、其制备方法及应用

CN202010210625.6

2020-03-23

离子注入光刻胶清洗液、其制备方法及应用

CN202010210656.1

2020-03-23

抗反射涂层清洗及刻蚀后残留物去除组合物、制备方法及用途

CN202010208598.9

2020-03-23

移除硬遮罩的钴兼容性半水基清洗液、其制备方法及应用

CN202010230594.0

2020-03-23

用于选择性移除硬遮罩的清洗组合物、其制备方法及应用

CN202011542530.0

2020-12-21

一种芯片铜互连电镀添加剂、其制备方法和应用

CN202011523454.9

2020-12-21

一种芯片铜互连电镀添加剂、其制备方法和应用

CN202011542548.0

2020-12-21

一种芯片铜互连电镀添加剂、其制备方法和应用

CN202011523458.7

2020-12-21

一种芯片铜互连电镀添加剂、其制备方法和应用

CN202011520976.3

2020-12-21

一种芯片铜互连电镀添加剂、其制备方法和应用

CN202011360613.8

2020-11-27

一种厚膜型248nm光刻胶组合物,其制备方法及应用

CN202011360660.2

2020-11-27

一种厚膜型KrF光刻胶组合物,其制备方法及应用

CN202011360580.7

2020-11-27

KrF厚膜型光刻胶组合物及其制备方法和应用

CN202011360612.3

2020-11-27

一种KrF厚膜光刻胶添加剂及含其的光刻胶组合物

CN202011360558.2

2020-11-27

厚膜型DUV光刻胶组合物及其制备方法和应用

CN202011360556.3

2020-11-27

厚膜型光刻胶组合物及其制备方法和应用

CN202011360499.9

2020-11-27

KrF厚膜光刻胶树脂及其制备方法和应用

CN2020113604895

2020-11-27

一种厚膜光刻胶组合物,其制备方法及应用

CN202011367547.7

2020-11-27

DUV厚膜光刻胶树脂及其制备方法和应用

CN202011364891.0

2020-11-27

一种248nm厚膜光刻胶树脂及其制备方法和应用

共计申请发明专利28件

 

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